АРИЗ-85-В

Пустота — это не обязательно вакуум. Если вещество твердое, пустота в нем может быть заполнена жидкостью или газом. Если вещество жидкое, пустота может быть газовым пузырьком. Для вещественных структур определенного уровня пустотой являются структуры нижних уровней, которые будут описаны на следующем шаге. Так, для кристаллической решетки пустотой являются отдельные молекулы, для молекул — отдельные атомы и т. д.

Под «пустотой» можно понимать и вкрапление веществ меньшей плотности в вещества с большей плотностью.

Шаг 4.5. Применение веществ, производных от ресурсных (или применение смеси этих производных веществ с «пустотой»).

Этот шаг должен развить идею, полученную на шаге 4.3.

Производные ресурсные вещества получают, например, изменением агрегатного состояния имеющихся ресурсных веществ или их разложением на составляющие.

Если, например, ресурсное вещество — жидкость, к производным относятся лед и пар. Производными считаются и продукты разложения ресурсных веществ. Так, для воды производными будут водород и кислород. Для многокомпонентных веществ производные — их компоненты. Производными являются также вещества, образующиеся при разложении или сгорании ресурсного вещества.

Кроме того, могут быть и другие способы изменения веществ, например облучение веществ (в частности радиоактивным веществом), изменение его структуры (графит и алмаз) и т. д.

Правило 8. Если для решения задачи нужны частицы вещества (например, ионы), а непосредственное их получение невозможно по условиям задачи, требуемые частицы надо получить разрушением вещества более высокого структурного уровня (например, молекул).

Суть правила: новое вещество можно получить обходным путем, разрушением более крупных структур ресурсных веществ или таких веществ, которые могут быть введены в систему.

Правило 9. Если для решения задачи нужны частицы вещества (например, молекулы) и невозможно получить их непосредственно или по правилу 8, требуемые частицы надо получать достройкой или объединением частиц более низкого структурного уровня (например, ионов).

Суть правила: достройка менее крупных структур.

Правило 10. При применении правила 8 простейший путь — разрушение ближайшего вышестоящего «целого» или «избыточного» (отрицательные ионы) уровня, а при применении правила 9 простейший путь — достройка ближайшего нижестоящего «нецелого» уровня.

Суть правила 10: разрушать выгоднее целые частицы (молекулы, атомы), поскольку нецелые частицы (положительные ионы) уже частично разрушены и сопротивляются дальнейшему разрушению; достраивать, наоборот, выгоднее нецелые частицы, стремящиеся к восстановлению.

Правила 8‒10: указывают эффективные пути получения производных ресурсных веществ из «недр» уже имеющихся или легко вводимых веществ. Правила подсказывают физический эффект, необходимый в том или ином конкретном случае.

Вещество представляет собой многоуровневую иерархическую систему. С достаточной для практических целей точностью иерархию уровней можно представить так:

— минимальное обработанное вещество (например, проволока);

— «сверхмолекулы»: кристаллические решетки, полимеры, ассоциации молекул;

— сложные молекулы;

— молекулы;

— части молекул, группы атомов;

— атомы;

— части атомов;

— элементарные частицы;

— поля.

Шаг 4.6. Использование ресурсных полей и их сочетаний.

Прежде всего, нужно описать ресурсные поля.

Если использование ресурсных веществ (имеющихся и производных) недопустимо по условиям задачи, надо использовать ресурсные поля. Например, электроны — подвижные (ток) или неподвижные. Электроны — «вещество», которое всегда есть в имеющемся объекте. К тому же, электроны — вещество в сочетании с полем, что обеспечивает высокую управляемость.

Шаг 4.7. Поле и отзывчивое вещество.

На шаге 2.3 рассмотрены уже имеющиеся ВПР. Шаги 4.3‒4.5 относятся к ВПР, производным от имеющихся. Шаг 4.6 — частичный отход от имеющихся и производных ВПР: вводят «посторонние» поля. Шаг 4.7 — еще одно отступление: вводят «посторонние» вещества и поля. Например, «магнитное поле — ферровещество», «ультрафиолет — люминофор», «тепловое поле — металл с памятью формы» и т. д.