Большая Советская Энциклопедия (ЦИ)

  Следующий этап в развитии мультипрограммных режимов работы — переход к ЦВМ коллективного пользования (см. Сеть вычислительных центров ).

Ввод задач в машину не обязательно должен производиться с одного устройства ввода, таких устройств может быть несколько, и располагаться они могут не в машинном зале, а непосредственно у потребителей «машинных услуг», часто удалённых от ЦВМ на значительное расстояние. С помощью таких устройств (терминалов ) по линиям связи (обычно телефонным) задачи вводят в машину, которая сама определяет их очерёдность, время их решения. Результаты решения также по линиям связи направляются на терминалы, которые должны иметь выводные устройства, печатающее устройство

или дисплей (см. Отображения информации устройство ).

  Создание мультипрограммных машин привело к развитию систем ЦВМ коллективного пользования, объединяющих в единое целое несколько машин с различной производительностью и обслуживающих одновременно десятки и сотни потребителей, расположенных не только в разных городах, но нередко в различных странах. Такое использование ЦВМ требовало расширения их функциональных возможностей и, следовательно, усложнения их структуры; полупроводниковая техника уже не отвечала требованиям развития ЦВМ как в отношении габаритов и потребления энергии, так и в отношении их технологичности и надёжности.

  На смену ЦВМ 2-го поколения в 60-х гг. пришли машины 3-го поколения, построенные на интегральных микросхемах (см. Интегральная схема

). В ЦВМ 2-го поколения элементарный блок собирался из отдельных деталей (диодов, транзисторов, конденсаторов, резисторов и т.п.), соединяемых посредством пайки. Такие блоки, хотя и значительно меньших габаритов, чем ламповые панели машин 1-го поколения, всё же имели заметные размеры (до нескольких десятков, иногда сотен см³ ), а места пайки являлись источником частых отказов . Применение в ЦВМ интегральных микросхем позволило повысить насыщенность блоков ЦВМ без увеличения их физических размеров. Если первые интегральные микросхемы (ИС) заменяли один блок ЦВМ 2-го поколения, то большие интегральные микросхемы (БИС) — несколько десятков таких блоков, и степень их насыщения (интеграции) непрерывно растет. К электронным ЦВМ 4-го поколения часто относят машины, построенные на БИС. Однако такая классификация вряд ли обоснована, т.к. нет чёткой границы между «обычными» интегральными микросхемами и «средними», между «средними» и «большими», между «большими» и «сверхбольшими». Значительно более важный фактор в развитии электронных ЦВМ — изменение основных элементов оперативной памяти. Если ЦВМ 1-го, 2-го и 3-го поколений имеют в своём составе запоминающие устройства на ферритовых сердечниках, то в ЦВМ 4-го поколения в качестве элементов памяти находят применение полупроводниковые приборы, изготавливаемые по технологии, аналогичной технологии изготовления интегральных микросхем. Образцы такой памяти небольшого объёма создавались и использовались (начло 70-х гг.) как «сверхбыстродействующая память»; в середине 70-х гг. наметилась тенденция создания оперативной памяти на полупроводниках и использования ферритовых запоминающих устройств в качестве дополнительной «медленной» памяти.