- Random Access Memory (оперативное запоминающее устройство, ОЗУ). Энергозависимая память (содержимое теряется при отключении питания). Называется также оперативной памятью с произвольным доступом. Выполняется на элементах статической или динамической памяти (часто требует охлаждения).
RE
- Rising Edge. Фронт импульса.
ROM
- Read Only Memory (постоянное запоминающее устройство, ПЗУ). ЗУ только для считывания (программируемое при изготовлении).
RW
- Read/Write (считывание/запись). Вход/выход интегральной схемы, обычно запоминающего устройства, которое работает в режиме считывания или записи в зависимости от уровня управляющего логического сигнала. Одна из двух используемых букв имеет сверху черту (обозначающую логическое отрицание), что указывает на реализацию соответствующей функции при низком уровне сигнала.
SIL
- Single In Line (однорядное размещение выводов). Размещение выводов в один ряд, как в матрице резисторов.
SMD
- Surface Mount Device. Компоненты с поверхностным монтажом (на печатную плату).
VCO
- Voltage Controlled Oscillator (генератор, управляемый напряжением, ГУН). Генератор синусоидального или импульсного сигнала, частота которого регулируется путем изменения управляющего напряжения.
VDR
- Voltage Dependent Resistor (резистор, сопротивление которого зависит от напряжения). Варистор, обычно используемый для фильтрации сетевых помех. Часто включается перед трансформаторами и «гасит» кратковременные перенапряжения.
VLSI
- Very Large Scale Integration (СБИС, сверхбольшая интегральная схема). ИС со степенью интеграции большей, чем в БИС.