Аппаратные интерфейсы ПК

Выбранной микросхемой памяти является та, на которую во время активности (низкого уровня) сигнала RAS# приходит сигнал CAS# (тоже низким уровнем). Тип обращения определяется сигналами WE# и CAS#. Временная диаграмма «классических» циклов записи и чтения приведена на рис. 7.1. Как из нее видно, при чтении данные на выходе относительно начала цикла (сигнала RAS#) появятся не раньше, чем через интервал T_RAC, который и является временем доступа.

Рис. 7.1. Временные диаграммы чтения и записи динамической памяти

Микросхемы DRAM имеют множество временных параметров, из которых выделим несколько важнейших, с которыми иногда приходится сталкиваться при настройке параметров циклов в CMOS Setup.

♦ Время доступа T_RAC (RAS Access Time) — задержка появления действительных данных на выходе относительно спада импульса RAS (см. рисунок). Этот основной параметр спецификации памяти, измеряемый в единицах или десятках наносекунд, обычно является последним элементом обозначения микросхем и модулей (ххх-7 и ххх-70 означают время доступа 70 нс). Для современных микросхем характерно время доступа 40-100 нс.

♦ Время цикла (cycle time) — минимальный период между началами соседних циклов обращения (T_WC для записи и T_RC для чтения). Для современных микросхем лежит в пределах 75-125 нс.

♦ Время цикла (период следования импульсов CAS#) в страничном режиме T_PC (Page CAS Time — см. п. 7.1.1).

♦ Длительность сигналов RAS# и CAS# — T_RAS и T_CAS — минимальная длительность активной части (низкого уровня) стробирующих сигналов (см. рисунок).

♦ Время предварительного заряда RAS и CAS T_RP, и T_CP (RAS и CAS Precharge Time) — минимальное время нахождения соответствующих сигналов в высоком состоянии.

♦ Время задержки между импульсами RAS# и CAS# T_RCD (RAS to CAS Delay).

♦ Задержка данных относительно импульса CAS# (T_CAC).

Все эти параметры и определяют предел производительности памяти. В табл. 7.2 приведены типовые значения временных параметров, отвечающих конкретной спецификации быстродействия. На них можно ориентироваться при задании циклов обращений к памяти в CMOS Setup, но при этом необходимо учитывать, что микросхемы различных производителей могут несколько отличаться друг от друга по отдельным параметрам.

Таблица 7.2. Ключевые параметры временной диаграммы DRAM

Спецификация быстродействия	TRC, нс	TRAC, нс	TPC, нс	TCAS, нс	TCP, нс
-4	75	40	15	6	6
-5	100	50	20	8	8
-6	104	60	25	10	10
-7	110	70	30	12	12

Отметим, что все, даже самые «модные» типы памяти — SDRAM, DDR SDRAM и Rambus DRAM — имеют запоминающее ядро, которое обслуживается описанным выше способом.

Поскольку обращения (запись или чтение) к различным ячейкам памяти обычно происходят в случайном порядке, то для поддержания сохранности данных применяется регенерация (Memory Refresh — обновление памяти) — регулярный циклический перебор ее ячеек (обращение к ним) с холостыми циклами. Циклы регенерации могут организовываться разными способами, классическим является цикл без импульса CAS#, сокращенно именуемый ROR (RAS Only Refresh — регенерация только импульсом RAS#). Другой вариант — цикл CBR (CAS Before RAS), поддерживаемый практически всеми современными микросхемами памяти. В этом цикле регенерации спад импульса RAS# осуществляется при низком уровне сигнала CAS# (в обычном цикле обращения такой ситуации не возникает). Адрес регенерируемой строки для цикла COR генерирует контроллер памяти, для CBR этот адрес берется из внутреннего счетчика каждой микросхемы памяти. Цикл скрытой регенерации (hidden refresh) является разновидностью цикла CBR.

Микросхемы синхронной динамической памяти выполняют циклы CBR по команде Auto Refresh. А по команде Self Refresh или Sleep Mode они выполняют автономную регенерацию в энергосберегающем режиме.

7.1.1. Асинхронная память — FPM, EDO и BEDO DRAM

Временная диаграмма, приведенная на рис. 7.1, может быть модифицирована для случая последовательного обращения к ячейкам, принадлежащим к одной строке матрицы. В этом случае адрес строки выставляется на шине только один раз и сигнал RAS# удерживается на низком уровне на время всех последующих циклов обращений, которые могут быть как циклами записи, так и чтения. Такой режим обращения называется режимом быстрого страничного обмена FPM (Fast Page Mode), или просто режимом страничного обмена (Page Mode), его временная диаграмма приведена на рис. 7.2. Понятие «страница» на самом деле относится к строке (row), а состояние с низким уровнем сигнала RAS# называется «открытой страницей». Преимущество данного режима заключается в экономии времени за счет исключения фазы выдачи адреса строки из циклов, следующих за первым, что позволяет повысить производительность памяти. Режим FPM поддерживает и самая обычная асинхронная память, называемая стандартной (Std).