Аппаратные интерфейсы ПК

Сигнал	Назначение
Общие сигналы для FPM, EDO, BEDO и SDRAM
RAS[0:3]#, RAS#	Row Address Strobe — стробы выборки строк
CAS[0:7]# CAS#	Column Address Strobe — стробы выборки столбцов
WE0#, WE2#	Read/Write Input — сигналы разрешения записи, раздельные для банков
OE0#, OE2#	Output Enable — сигналы разрешения выходных буферов, раздельные для банков
A[0:13]	Address Inputs — мультиплексированная шина адреса
DQ[0:63]	Data Input/Output — биты данных
CB[0:15]	Check Bit Data Input/Output — контрольные биты, отсутствуют в 64-битных модулях. В 72-битных модулях отсутствуют CB[8:15]
SCL	Serial Presence Detect Clock синхронизация интерфейса идентификации I²C
SDA	Serial Presence Detect Data — данные интерфейса идентификации I²C
SA[0:2]	Serial Presence Detect Address — адрес модуля в интерфейсе I²C, задается коммутацией выводов гнезд для модулей на уровни логических «0» и «1»
WP	Write Protect — защита записи в EEPROM
VCC	Power — питание (+5 или +3,3 В)
VSS	Ground — общий провод
NC	No Connect — неиспользуемый (свободный) контакт
DU	Don't Use — запрещенный к использованию контакт
Специфические сигналы SDRAM
DQMB0-DQMB7	Data Mash Byte — маски байт (синхронизируются по фронту CK). Высокий уровень во время операции чтения переводит выходные буферы соответствующего байта в высокоимпедансное состояние с задержкой на 2 такта, операция записи блокируется без задержки
S0#, S1#, S2#, S3#	Select — разрешение (низким уровнем) декодирования команд микросхемами SDRAM соответствующих банков. При высоком уровне новые команды игнорируются, но выполнение предыдущей не прерывается
CK[0:3]	Clock Inputs — тактовые импульсы системной шины, положительный перепад синхронизируют все входные сигналы (кроме CKE)
CKE0, CKE1	Clock Enables — разрешение синхронизации (высокий уровень) для банков микросхем. Низкий уровень переводит в режим пониженного потребления или саморегенерации
A[0:9], А[11:13] A10/АР	Address Inputs, Address Input 10/Autoprecharge — в цикле команды активации банка А[0:13] определяют адрес строки (по подъему CK). В цикле команды чтения или записи А[0:8] определяют адрес столбца, АР используется для указания (высоким уровнем) на операцию автопредзаряда (autoprecharge) банка А (BA0=0) или В (BA1=1) по окончании текущего пакетного цикла. В цикле команды предзаряда при высоком уровне АР предзаряд осуществляется в обоих банках, при низком — только в банке, определяемом линией BA0
BA0, BA1	SDRAM Bank Address — выбор внутреннего банка микросхемы SDRAM (использует линии, назначенные на адреса А11, A12 модулей DRAM)
REGE	Register Enable — разрешение синхронной работы регистров управляющих и адресных сигналов. При высоком уровне регистр защелкивает сигналы по фронту CK, а микросхемы памяти зафиксируют эти значения в следующем такте. При низком уровне регистр работает в режиме буфера (допустимо лишь для 66 МГц)
Дополнительные сигналы модулей DOR SDRAM
DQS[0:17]	Двунаправленные стробы данных, формируемые источником
CK#	Инверсный вход синхронизации (пара к CK)
VREF	Вход опорного напряжения интерфейса SSTL_2
RESET#	Вход асинхронного сброса регистра
VDDQ	Питание выходных буферов микросхем
VDD	Питание ядра микросхем
VDDSPD	Питание микросхемы последовательной идентификации
VDDID	Вход VDD identification flag