Работы. Мемуар

Но, как я заметил, один француз, хотя замечаний не делал, но как-то подозрительно посмеивался. Потом я при его докладе понял, почему. В его работе источником электронов для возбуждения пиков Оже было синхротронное излучение какого-то ускорителя элементарных частиц. Оно для этих ускорителей – паразитное, заставляет вкладывать гораздо больше энергии. Но оно с успехом заменит рентгеновскую пушку, у него энергетическая ширина гораздо уже. В результате в его спектрах было прекрасное разрешение, гораздо лучше всего, что я с трудом добивался хитрыми способами. Ему не нужно было стоить компьютерную модель низкоэнергетического пика кремния в соединениях с кислородом и азотом. Попадись ему такой спектр – он бы отлично видел в нём отдельные пики кремния в Si, SiO₂, Si₃N

₄, Si₂N₂

O и пр.

Зато потом эта встреча со смешливым французом сыграла свою роль при написании книги «Критика эфиродинамики». Автор критикуемой теории, «эфиродинамики», В.А. Ацюковский, утверждал, в частности, что синхротронного излучения не существует. Посмотрел бы на сайт Курчатовского института, где приглашались им попользоваться как раз такие исследователи, как тот француз. Но моя работа в ИПТМ тогда уже заканчивалась, после той конференции я там недолго проработал. Да и кто бы мне позволил тащить Оже-спектрометр в Курчатовский институт и приделывать там его к их ускорителю.

Поскольку работа по разрешению Оже-пиков соединений кремния стала потом заметной частью диссера про исследование скрытых слоёв оксинитрида кремния (хотя там были и другие вещи), я уже при докладе диссера (уж он-то, конечно, проходит обсуждение в институте) учёл те прошлые черноголовские замечания. Точнее, я их учёл не в основном тексте, а приготовил доказательства, что я прав, а они, со своими сомнениями, нет. И что же? Как я и предполагал, те же люди пришли на обсуждение и опять проявили претензии в форме сомнений. Только все мои заготовленные возражения не пригодились, потому что их сомнения теперь носили прямо противоположный характер! Боюсь, это не то чтобы они просто забыли свои прежние претензии, а новые сформировали случайно. Скорее, это было сделано именно для того, чтобы я, если подготовил возражения, попал с ними впросак. Но жаловаться мне не на что, на самом деле. Если это и было проявление недоброжелательности черноголовских сотрудников института к московским, для меня оно оказалось полезным. Потому что к защите диссера я подготовил возражения и на новые их сомнения, и на все, какие мог придумать сам. Собственно, так и надо было поступить с самого начала. Это, вообще-то, обязанность учёного. Но ведь всегда кажется, что всё и так ясно. Ну, там, где кажется, что ясно. А так – неясного всегда остаётся больше, и именно о нём хочется думать. Вот и получаются сомнительные места в тылу. Нет, в данном случае они не были на самом деле сомнительными, но, чтобы это показать, требовалось подумать и подобрать аргументы.

Изобретения

В отличие от Саратова, где на заводе были месячники подачи рацпредложений, в ИПТМ всё оказалось гораздо серьёзнее. Тут Данилин оформлял, с некоторой моей помощью, изобретения. Несколько штук оформил, всё на разные способы получения скрытого изолирующего слоя. Хм, это я так помню, что несколько, а в списке своих публикаций до 2003 года я нашёл только две заявки. Неважно. При этом и я с этим формализмом познакомился. Как положено, сперва описывается то, что было до, и что призвано улучшить данное изобретение, а потом в одной фразе, обязательно в одной, пусть там будет сколько угодно придаточных, краткое описание. Например, после перечисления недостатков известных способов и формулировки цели изобретения: улучшение качества структуры за счет улучшения электрофизических свойств слоя кремния на диэлектрике и увеличения его толщины. «Поставленная цель достигается тем, что в известном способе изготовления кремниевых многослойных структур, включающем создание в кремниевой подложке скрытого слоя диэлектрика на основе нитрида кремния с помощью повторяющихся циклов имплантация ионов азота – отжиг, при этом цикл по дозе имплантации ионов азота составляет (1-10)·10¹⁶ см^–2

, а суммарная доза имплантации (2-6)·10¹⁷ см^–2, новым является то, что поддерживают температуру подложки при имплантации в интервале 200-450°С»… в результате чего при проведении заключительного отжига… что улучшает такие характеристики слоя, как… и т.д.