Читаем Радиоэлектроника-с компьютером и паяльником полностью

Диод VD1 будет загораться, когда на его аноде возникнет положительный потенциал относительно катода, и протекающий ток в этом прямом направлении (от p-области к n-области по стрелке УГО, «от плюса к минусу») примет значение достаточное для его свечения (электролюминесценции). При обратном его включении этот прибор будет пробит и испорчен, что надо учесть при пайке реального устройства и подводе к нему питания.

Диод VD2 в данном устройстве практически не работает, если не считать возможности частичной защиты приборов от «переполюсовки» питания. Данный набор имеет некоторую универсальность и возможные расширения функций. В частности, к нему в точках 1 и 7 может быть подключено исполнительное электромагнитное реле для управления силовыми устройствами (двигатель, нагреватель и т. п.), и это будет использовано далее. Вот при включении и выключении реле возникают броски напряжения со сменой полярности на коллекторе транзисторов. Обратно включенный диод VD2 защищает транзисторы от пробоя: при смене полярности в точке 7 он «закорачивает» на себя обмотку реле, спасая транзисторы от пробоя.

Транзисторы VT1 и VT2 являются биполярными транзисторами n-р-n типа. Они выбираются из панели Transistors, вызываемой нажатием ЛKM на пиктограмму 

, а затем — на . Далее вызывается окно свойств (рис. 54) и в нем выбираются опции zetex и ВС547ВР.



Рис. 54.Окно редактирования свойств транзистора в EWB


Здесь прибавка к имени транзистора букв ВР означает, что это биполярный транзистор (Bipolar junction Transistor

). В меню свойств компонентов можно входить не только двойным щелчком по ним ЛКМ, но и однократным нажатием ПКМ, которое вызовет дополнительное меню (рис. 55).



Рис. 55.Вызов предметной помощи в EWB


В этом меню можно вызвать окно свойств компонента (Component Properties), а также воспользоваться другими стандартными опциями графического редактирования системы Windows для выделенного объекта. Нажмем ЛКМ на позицию Help (помощь) и вызовем предметную справку (рис. 56).



Рис. 56.Окно справки по транзистору в EWB


Здесь (на английском языке) дана короткая справка о типе прибора. УГО, помещенное в левом углу, показывает назначение его выводов: СCollector (коллектор), В

Base (база), ЕEmitter (эмиттер). Иногда справки содержат и более подробную информацию, например, о микросхемах и использовании устройств в моделях, так что к ним не грех и обращаться за помощью.

Выбор транзисторов, как и любого другого компонента, заканчиваем раздачей именных позиционных меток (в данном случае VT1 и VT2) и необходимым включением в схемную модель (см. рис. 48).

После проведенных подготовительных процедур окончательно проводим соединения всех компонентов как бы внутри печатной платы (проводники здесь моделируют ее дорожки). Всякий компонент в схеме может быть выделен и без отрыва перемещен на другое место стандартной буксировкой ЛКМ или курсорными стрелками с клавиатуры. Эта операция может понадобиться для графического редактирования схемы, а также для проверки ложных соединений или, напротив, отсутствия необходимого соединения.

Замену какого-либо соединения можно выполнить несколькими способами. Например, курсор подводится к монтажному узлу со стороны того проводника, который надо «пересоединить», нажимается ЛКМ (это как бы включается паяльник), возникает дополнительное утолщение («олово расплавилось»), не отпуская кончик проводника, его перемещают к месту необходимого соединения, и вызвав на нем появление утолщения с нужной стороны («появилась капелька олова»), производят соединение. Если проводник после его «отпайки» отпустить, то он исчезнет.

Удалить проводник, монтажный узел или любой компонент можно и стандартным удалением графического редактирования системы Windows для выделенного объекта, например из окна по рис. 56 или из опций Edit. Правда, при этом могут произойти непредвиденные «пересоединения» в схеме и ее надо будет после этого перепроверить.

После окончательного редактирования схемной модели и проверки ее соответствия принципиальной схеме по соединениям компонентов и их номиналам, можно подключить «внешние устройства». В данном случае их два: источник питания и источник сигнала.

Согласно описанию, устройство имеет батарейное питание. Поэтому выбираем батарею, как было описано ранее (см. рис. 41, 42), и принимаем ее ЭДС Е1 = 12 В.

Перейти на страницу:

Все книги серии Массовая радиобиблиотека

Похожие книги

Ошибки в оценке науки, или Как правильно использовать библиометрию
Ошибки в оценке науки, или Как правильно использовать библиометрию

Ив Жэнгра — профессор Квебекского университета в Монреале, один из основателей и научный директор канадской Обсерватории наук и технологий. В предлагаемой книге излагается ретроспективный взгляд на успехи и провалы наукометрических проектов, связанных с оценкой научной деятельности, использованием баз цитирования и бенчмаркинга. Автор в краткой и доступной форме излагает логику, историю и типичные ошибки в применении этих инструментов. Его позиция: несмотря на очевидную аналитическую ценность наукометрии в условиях стремительного роста и дифференциации научных направлений, попытки применить ее к оценке эффективности работы отдельных научных учреждений на коротких временных интервалах почти с неизбежностью приводят к манипулированию наукометрическими показателями, направленному на искусственное завышение позиций в рейтингах. Основной текст книги дополнен новой статьей Жэнгра со сходной тематикой и эссе, написанным в соавторстве с Олесей Кирчик и Венсаном Ларивьером, об уровне заметности советских и российских научных публикаций в международном индексе цитирования Web of Science. Издание будет интересно как научным администраторам, так и ученым, пребывающим в ситуации реформы системы оценки научной эффективности.

Ив Жэнгра

Технические науки